TOPCon VS HJT Ai là người chiến thắng?
TOPCon VS HJT Ai là người chiến thắng?
Quá trình mở rộng sản xuất của HJT và TOPCon đã tăng tốc trong năm nay và các công ty hàng đầu đã đẩy mạnh triển khai công nghệ pin loại N. Xu hướng phát triển công nghệ pin quang điện trong tương lai là gì? Nghiên cứu thông tin và hiểu biết sâu sắc về Phố Wall sau đây sẽ cung cấp cho bạn cái nhìn sâu sắc về đặc điểm của ngành công nghiệp tế bào quang điện và nó sẽ phát triển như thế nào trong tương lai?
Cuộc sống trong quá khứ và hiện tại của tế bào quang điện——Kỷ nguyên loại P kết thúc và kỷ nguyên loại N bắt đầu
Ngành công nghiệp tế bào quang điện nằm ở giai đoạn giữa của chuỗi công nghiệp quang điện và được làm từ các tấm silicon thông qua quá trình làm sạch, tạo kết cấu và các bước khác. Các tấm quang điện tạo ra điện áp và dòng điện khi tiếp xúc với ánh sáng, nhờ đó đạt được khả năng tạo ra năng lượng quang điện, về cơ bản tương tự như sản xuất chất bán dẫn cấp thấp.
Theo các nguyên liệu thô và công nghệ chuẩn bị pin khác nhau, tế bào quang điện có thể được chia thành tế bào loại P và tế bào loại N. Tấm silicon loại P được chế tạo bằng cách pha tạp vật liệu silicon với nguyên tố boron; Tấm silicon loại N được chế tạo bằng cách pha tạp vật liệu silicon với nguyên tố phốt pho. Các công nghệ chuẩn bị pin loại P bao gồm AL-BSF (trường sau bằng nhôm) truyền thống và công nghệ PERC. Có nhiều công nghệ chuẩn bị pin loại N, bao gồm PERT/PERL, TOPCon, IBC và HJT (dị thể), v.v.
Nói chung, pin BSF sân sau bằng nhôm là xu hướng phổ biến trước năm 2017 và kể từ năm 2017, pin PERC đã gần như thay thế hoàn toàn pin sân sau bằng nhôm. Tuy nhiên, do pin PERC hiện tại đang tiến gần đến hiệu suất giới hạn lý thuyết là 24,5% nên khả năng cải tiến là rất hạn chế. Pin loại N sẽ bắt đầu phát triển nhanh chóng sau năm 2021, dẫn đầu là TOPCon và HJT, cả hai loại pin này hiện đang trong giai đoạn đầu thương mại hóa quy mô lớn. Các tuyến công nghệ tiềm năng trong tương lai còn bao gồm các tế bào xếp chồng HBC và perovskite, tương đương với việc nâng cấp kết hợp với HJT nên hiệu suất chuyển đổi có thể đạt được bước nhảy vọt khác.
